Allgemeine Vorhabenbeschreibung

Die Firma NexWafe Si-Fab GmbH beabsichtigt mit einer gemäß § 16 BImSchG beantragten wesentlichen Änderung, die Umstellung einer Anlage zur Herstellung von Poly-Solarsilizium Wafer am Standort in der Alustraße 5 im Chemiepark Bitterfeld-Wolfen hin zu einer innovativen Silizium Wafer Produktion für die Photovoltaik. Durch die Anwendung, bereits im Rahmen eines Pilotprojektes erprobter, innovativer Technologien und Verfahrensweisen zur Herstellung von Poly-Solarsilizium Wafern sollen die geschlossenen Stoffkreisläufe innerhalb des Chemieparks gestärkt und eine nachhaltige Rohstoffversorgung der photovoltaikproduzierenden Unternehmen mit Standort in Deutschland unter Einsparung von 50 % der Produktionskosten und um bis zu 75 % geringeren Kohlendioxidemissionen ermöglicht werden. Für die perspektivisch wachsende Nachfrage nach Siliziumwafern für die Solarindustrie, ist die Realisierung ausreichender Herstellungskapazitäten am Standort in zwei Phasen geplant. In der ersten, hier beantragten, Phase ist die Nutzung der bestehenden Anlagenkapazität vorgesehen, um eine jährliche Produktionsmenge von bis zu 420 Millionen Wafer im Jahr (ca. 650 t/a) bzw. 6.000 Wafer pro Stunde zu erreichen.
Zukünftig soll die Produktionskapazität auf bis zu 2.500 Millionen Wafer im Jahr erweitert werden. Für die erste Phase wurde das Betriebsgelände von der benachbarten Silicon Products gepachtet, die darauf im Bestand befindlichen Gebäude sowie die Anlagenstrukturen wurden für das geplante Vorhaben erworben und in den Besitz der NexWafe überführt. Die vorhandenen Technologien sollen entsprechend deren Auslegung für den neuen Herstellungsprozess größtenteils weiter genutzt oder teilweise stillgelegt werden. Im Zuge der Umstellung ist die Errichtung einer neuen Fabrikationshalle mit einer Produktionsfläche von rund 2.900 m² geplant einschließlich den unterstützenden Bereichen wie dem Lager, der Logistik sowie Büro , Sozial-, Technik- und Werkstatträumen. Die Produktion er-folgt zukünftig nach einem eigens entwickelten Verfahren, wodurch Prozessschritte, Energie- und Stoffeinsatz eingespart werden. Gegenüber herkömmlichen Verfahren, bei denen durch das Zerschneiden/-sägen von Siliziumbarren die Produkt-Wafer sowie prozessbedingte Abfälle erzeugt werden, werden im sogenannten EpiWafer-Prozess monokristalline Wafer hergestellt.

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